英特尔首批High-NA EUV设备正式投入芯片生产

英特尔宣布首批两台High-NA EUV设备已正式投入生产，预计一季内可生产3万片晶圆，将助力制造更小更快的运算芯片。

　　近日，英特尔宣布首批两台高数值孔径（High-NA）极紫外光（EUV）设备已正式投入生产，标志着芯片制造工艺又迈出了重要一步。英特尔资深首席工程师Steve Carson透露，利用这些设备，英特尔一个季度内即可生产3万片晶圆，相当于生产数千颗运算芯片的大型硅片。

　　High-NA EUV设备由半导体设备巨头ASML制造，与传统EUV设备相比，其数值孔径更高，能够在同样的工艺节点上实现更小的特征尺寸。这意味着芯片制造商可以在相同面积的芯片上集成更多的晶体管，从而制造出更小、更快、更节能的运算芯片。

　　英特尔去年成为全球第一间接收High-NA EUV设备的芯片制造商，此次正式投入生产，说明其设备调试和工艺验证已经取得了重要进展。这一举措也被外界视为英特尔在芯片制造领域追赶竞争对手的重要策略调整。

　　业内人士指出，High-NA EUV是未来几年芯片工艺演进的关键技术。随着芯片制程不断逼近物理极限，传统光刻技术已经难以满足更先进节点的需求，而High-NA EUV则为后续的2纳米及以下工艺节点提供了可行的技术路径。

　　不过，High-NA EUV设备的成本极其高昂，单台设备售价超过3亿美元。除了英特尔，台积电、三星等芯片制造商也都在积极部署这一新一代光刻设备，全球芯片制造工艺的竞争正在加剧。

　　分析人士认为，英特尔率先将High-NA EUV投入生产，有望在下一代芯片工艺上获得先发优势。但后续能否将技术优势转化为市场优势，还需要看其在良率控制、成本控制等方面的表现。